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MOSFET重離子源漏穿通效應(yīng)的二維數(shù)值模擬
全部作者： 夏春梅 賀朝會 第1作者單位： 西安交通大學(xué) 論文摘要： 用DESSIS器件模擬軟件對MOSFET的單粒子效應(yīng)進(jìn)行了研究，模擬的結(jié)果與電荷漏斗模型[1]相吻合，表明了所建立的物理模型的正確性。在不同LET（Linear Energy Transfer）值的離子的入射下，MOSFET的漏極收集電流隨LET值的增大而增大。模擬結(jié)果表明重離子也能引起源－漏穿通效應(yīng)，而且證明當(dāng)器件的特征尺寸減小到1定尺度以下時，既能產(chǎn)生直接溝道效應(yīng)，也能產(chǎn)生間接溝道效應(yīng)。通過比較不同特征尺寸器件在間接溝道入射時溝道處的等位線的分布情況，證明了當(dāng)器件的特征尺寸越來越小時，源－漏穿通效應(yīng)越來越明顯。 關(guān)鍵詞： DESSIS 電荷漏斗模型 源－漏穿通效應(yīng) 直接溝道效應(yīng) 間接溝道效應(yīng) (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2008年04月25日 同行評議：
目前對于單粒子效應(yīng)的研究多集中于實(shí)驗(yàn)方面，對器件內(nèi)部發(fā)生的過程和機(jī)制尚需進(jìn)行細(xì)致的理論分析，因此該論文的選題有意義。但是該文的全部內(nèi)容是利用現(xiàn)有軟件對MOSFET的重離子輻照瞬態(tài)過程進(jìn)行模擬，沒有反映重要的器件物理問題如：受到重離子輻照而激發(fā)產(chǎn)生過剩載流子的機(jī)制、過剩載流子的瞬態(tài)運(yùn)動、載流子分布的變化規(guī)律等，僅單純使用軟件給出了1些模擬結(jié)果，意義不明顯。具體來說，存在以下缺陷：（1）如果使用短暫的光脈沖進(jìn)行激發(fā)，同樣會得到類似于圖3、圖6、圖7、圖8的結(jié)果（即也能形成溝道導(dǎo)致源漏穿通），重離子輻照和光輻照相比有何特別之處、究竟是怎樣作用的，沒有具體說明；（2）在MOSFET漏極結(jié)附近的等位線無論是否受到重離子輻照均會表現(xiàn)出類似于圖2的分布規(guī)律，因此僅以圖2為據(jù)說明“所建立的物理模型的正確性”很牽強(qiáng)；（3）盡管該文多處提到“所建立的物理模型”，但是從該文中并未見到作者所建立的物理模型；（4）圖6沒有橫坐標(biāo)名稱，圖5對應(yīng)于圖6的哪1時刻也未明示；（5）國內(nèi)外已有不少單位對MOSFET的單粒子效應(yīng)做了實(shí)驗(yàn)研究和理論分析，該文參考文獻(xiàn)未反映。
綜合評價： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。【MOSFET重離子源漏穿通效應(yīng)的二維數(shù)值模擬】相關(guān)文章：
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