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  • 談杏仁核腦片場(chǎng)電位的記錄及其應(yīng)用

    時(shí)間:2024-05-30 01:18:04 藥學(xué)畢業(yè)論文 我要投稿
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    談杏仁核腦片場(chǎng)電位的記錄及其應(yīng)用

    摘要: 目的: 探討基底外側(cè)杏仁核(BLA)離體腦片場(chǎng)電位的記錄及其應(yīng)用. 方法: 制備杏仁核腦片,在腦片上記錄場(chǎng)電位,觀察其藥理學(xué)特性并引導(dǎo)杏仁核的長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)(LTP). 結(jié)果: 在腦片保持良好活性及記錄系統(tǒng)噪音幅度小于0.01 mV的前提下,應(yīng)用國(guó)產(chǎn)微電極放大器及記錄系統(tǒng)即可記錄到穩(wěn)定可靠的杏仁核場(chǎng)電位,大小約為海馬CA1場(chǎng)電位的1/10;在灌流液中加入α?氨基羥甲基惡唑丙酸(AMPAR)受體拮抗劑氰基?2?硝基喹?2,3?二酮(CNQX)10 μmol/L和N?甲基?D?天冬氨酸(NMDAR)受體阻斷劑D,L?2?氨基?5磷酸基戊酸(APV)100 μmol/L后,場(chǎng)電位幾乎完全被阻斷. 應(yīng)用兩串高頻刺激(間隔10 min)刺激外囊,在BLA可引導(dǎo)LTP. 結(jié)論: 杏仁核腦片可記錄到穩(wěn)定可靠的場(chǎng)電位,適用于研究杏仁核的突觸可塑性等功能及探討杏仁核在神經(jīng)疾病中的作用及其機(jī)制.

    關(guān)鍵詞: 杏仁核;場(chǎng)電位;長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)

    0引言
    杏仁核與學(xué)習(xí)記憶、情緒、情感密切相關(guān)[1],而且參與精神分裂癥、抑郁、癲癇和創(chuàng)傷后應(yīng)激障礙等多種神經(jīng)系統(tǒng)疾病的病理過(guò)程[2-3]. 然而杏仁核深藏于大腦深部,被復(fù)雜精細(xì)的神經(jīng)結(jié)構(gòu)包繞[4],很難直接探測(cè)到杏仁核神經(jīng)元的活動(dòng). 腦片是研究杏仁核功能比較理想的標(biāo)本. 腦片上記錄神經(jīng)細(xì)胞的活動(dòng)方式主要有膜片鉗、傳統(tǒng)的細(xì)胞內(nèi)和場(chǎng)電位記錄,前兩者對(duì)儀器設(shè)備要求較高,而場(chǎng)電位記錄對(duì)設(shè)備要求相對(duì)簡(jiǎn)單,并可以反映神經(jīng)細(xì)胞的功能狀態(tài),易于推廣. 我們采用國(guó)內(nèi)的設(shè)備系統(tǒng),制備杏仁核腦片,在腦片上記錄場(chǎng)電位,觀察其藥理學(xué)特性并引導(dǎo)杏仁核的長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)(long?term potentiation,LTP),以探討杏仁核場(chǎng)電位的記錄及其應(yīng)用.
    1材料和方法
    1.1材料健康SD大鼠24只,雄性,體質(zhì)量200~250 g(福建醫(yī)科大學(xué)實(shí)驗(yàn)動(dòng)物中心),所有動(dòng)物均在12 h光照/黑暗周期環(huán)境中飼養(yǎng),自由攝食及飲水. D,L?2?氨基?5磷酸基戊酸(APV), 氰基?2?硝基喹?2,3?二酮(CNQX),谷氨酸(美國(guó)Sigma公司);微電極放大器,RM 6240數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(成都儀器廠),其余化學(xué)產(chǎn)品均為國(guó)產(chǎn)分析純.
    1.2方法
    1.2.1杏仁核腦片制備將SD大鼠以氟烷麻醉后斷頭,迅速取腦,放置在低于4℃的冰冷人工腦脊液中并進(jìn)行修塊. 人工腦脊液中各種離子成分及其濃度(mmol/L)為:NaCl 124,KCl 3.0,CaCl2 1.5,MgCl2 1.5,NaH2PO3 1.25,NaHCO3 25,葡萄糖11. 人工腦脊液始終充以950 mL/L O2和50 mL/L CO2,pH7.2~7.4. 用振動(dòng)切片機(jī)把含有杏仁核或海馬的大腦部分切成腦片(橫切面),厚度500 μm. 腦片實(shí)驗(yàn)記錄前在常溫人工腦脊液中孵育至少1 h.
    1.2.2杏仁核腦片場(chǎng)電位記錄將腦片移至界面型記錄槽(自制),通過(guò)尼龍網(wǎng)與槽內(nèi)人工腦脊液接觸,以1~2 mL/min持續(xù)灌流腦片,腦脊液溫度控制在(30±1)℃,用950 mL/L O2和50 mL/L CO2混合氣體彌散在腦片周圍. 在解剖顯微鏡下將雙極不銹鋼刺激電極置于外囊,記錄微電極置于基底外側(cè)杏仁核(basolateral amygdale, BLA)區(qū),其尖端置于腦片表面下約200 μm處. 刺激電極與記錄部位之間的距離約為2 mm. 微電極內(nèi)充灌3 mol/L NaCl溶液,阻抗為2~5 MΩ. 場(chǎng)電位經(jīng)微電極放大器放大后,輸出信號(hào)用數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)RM6240進(jìn)行信號(hào)的記錄、分析和處理. 場(chǎng)電位記錄基線穩(wěn)定20 min后才開始下一步的實(shí)驗(yàn). 場(chǎng)電位的斜率用平均基礎(chǔ)值標(biāo)準(zhǔn)化. 常規(guī)刺激的單相方波信號(hào)由RM6240的程控刺激器產(chǎn)生. 刺激方波的波寬為0.1 ms,頻率為0.1 Hz,并調(diào)整刺激強(qiáng)度使突觸反應(yīng)等于最大突觸電位的一半. LTP的引導(dǎo)應(yīng)用兩串頻率為100 Hz的高頻刺激,每串持續(xù)1 s,串間隔為10 min. 記錄海馬場(chǎng)電位時(shí)刺激電極放置于海馬(cornu ammonis 1, CA1)區(qū)的Schafer側(cè)支通路上,記錄電極位于海馬CA1區(qū).
    1.2.3藥物加入實(shí)驗(yàn)過(guò)程中應(yīng)用的藥物均加入到灌流腦片的人工腦脊液中.
    統(tǒng)計(jì)學(xué)處理:采用SPSS10.0統(tǒng)計(jì)分析軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)錄入和整理,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)用x±s表示,組間采用方差分析. P

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