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u盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別介紹
同樣是基于FLASH芯片存儲(chǔ)技術(shù)，U盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)有什么區(qū)別嗎？以下是u盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)的區(qū)別介紹，歡迎閱讀。
固態(tài)硬盤(pán)與U盤(pán)有什么區(qū)別:
第一，主控算法不一樣，固態(tài)硬盤(pán)的速度數(shù)十倍的高于U盤(pán)。
第二，壽命極大的延長(zhǎng)。
第三，可以同時(shí)讀和寫(xiě)。
U盤(pán)容易丟失數(shù)據(jù)的原因是因?yàn)閁SB設(shè)備經(jīng)常插拔與不同的主機(jī)之間，不正確的插拔操作，USB接口的電壓的不穩(wěn)定，系統(tǒng)問(wèn)題造成錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)寫(xiě)入等都是造成U盤(pán)故障頻發(fā)的原因，而固態(tài)硬盤(pán)是安置于主機(jī)內(nèi)部，使用的SATA接口，處于一個(gè)很安全和穩(wěn)定的環(huán)境下，因此不會(huì)像U盤(pán)一樣容易發(fā)生故障丟失數(shù)據(jù)。
下面簡(jiǎn)單介紹下固態(tài)硬盤(pán)與U盤(pán)的原理與性能區(qū)別：
第一，主控算法不一樣
固態(tài)硬盤(pán)采用的是一種特殊的算法，這個(gè)算法每個(gè)廠家都不一樣，而且是封裝在主控芯片里的。
通過(guò)這個(gè)算法，可以使數(shù)據(jù)平均分配到固態(tài)硬盤(pán)里的每片flash上，在提高速度的同時(shí)，也極大的延長(zhǎng)了flash的壽命。更為高效的算法可以對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行高速壓縮讀寫(xiě)，尤其是讀取速度可以達(dá)到很高，更為高效的算法可能速度平平，但是卻能極大延長(zhǎng)FALSH芯片的壽命，一般固態(tài)硬盤(pán)正常使用的話3-5年問(wèn)答不大。
第二，壽命極大的延長(zhǎng)
U盤(pán)故障頻發(fā)也是因?yàn)橐话鉛盤(pán)一般也就是一片F(xiàn)LASH芯片，多的兩片芯片，反復(fù)對(duì)一片芯片上相同存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元會(huì)加速芯片的老化，而固態(tài)硬盤(pán)上芯片遠(yuǎn)不止一片，兩片，而是高達(dá)數(shù)十片芯片，通過(guò)主控的協(xié)調(diào)，將數(shù)據(jù)不同分?jǐn)偟讲煌酒M(jìn)行操作，平衡每一片芯片的使用量，無(wú)形中疊加了所有芯片的讀寫(xiě)次數(shù)極大的延長(zhǎng)了穩(wěn)定工作的時(shí)間。
第三，可以同時(shí)讀和寫(xiě)速度不同
這個(gè)不用我多說(shuō)，不信你試試，同時(shí)從硬盤(pán)拷貝一個(gè)文件到U盤(pán)和從U盤(pán)拷貝一個(gè)文件到硬盤(pán)上的速度，相對(duì)于你單獨(dú)拷貝文件到U盤(pán)或者硬盤(pán)的速度要慢很多，因?yàn)椋現(xiàn)LASH芯片相同的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)同一時(shí)間只能進(jìn)行讀或者寫(xiě)這單一操作。FLASH讀寫(xiě)數(shù)據(jù)是靠電壓的變化來(lái)完成的，讀要一個(gè)電壓，寫(xiě)要一個(gè)電壓，不可能同時(shí)產(chǎn)生2種電壓的，但如果有很多芯片，數(shù)據(jù)是分散開(kāi)來(lái)的那么對(duì)于一個(gè)芯片組合來(lái)說(shuō)同時(shí)讀寫(xiě)就是可能的。
補(bǔ)充說(shuō)明：
U盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)結(jié)構(gòu)原理是一樣的，主控芯片+FLASH存儲(chǔ)芯片，但U盤(pán)的主控芯片屬于精簡(jiǎn)版的。取消了sata控制器，但是保留有zif（ce），esata，usb等移動(dòng)設(shè)備通用的控制器。據(jù)說(shuō)對(duì)于尋址能力也簡(jiǎn)化了，目前最多只能做到8片F(xiàn)LASH芯片。而固態(tài)硬盤(pán)的主控芯片少則支持16片F(xiàn)LASH芯片，多則達(dá)到32片F(xiàn)LASH芯片，甚至更多。
另外相同品牌和系列的固態(tài)硬盤(pán)通常存在一種情況，容量越大，速度越快。因?yàn)槿缟衔模粔K主控芯片控制16或32片F(xiàn)LASH芯片進(jìn)行同時(shí)的讀寫(xiě)操作，類(lèi)似機(jī)械硬盤(pán)的陣列概念。
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