測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議書

時(shí)間：2020-10-24 15:32:16 協(xié)議書范本我要投稿

測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議書范本

　　______集成電路設(shè)計(jì)研究中心（甲方）和_______公司（乙方）經(jīng)友好協(xié)商，對(duì)__________項(xiàng)目的有關(guān)測(cè)試技術(shù)指標(biāo)問(wèn)題達(dá)成如下協(xié)議：

測(cè)試技術(shù)指標(biāo)協(xié)議書范本

　　一、乙方應(yīng)在本協(xié)議簽定_____天內(nèi)將芯片資料，測(cè)試碼提供給甲方。

　　二、甲方在乙方提供封裝好的芯片后_____天內(nèi)，將測(cè)試分析結(jié)果提交給乙方。

　　三、具體測(cè)試要求：

　　甲方按乙方要求，在測(cè)試時(shí)將pa4、pa5、pa6、pa7端經(jīng)3.3k電阻上拉至5伏。

　　甲方在測(cè)試分析時(shí)，應(yīng)讓______芯片工作在5v。

　　乙方提供____功能測(cè)試碼文件（t______t格式）兩份。

　　甲方使用乙方提供的`功能測(cè)試碼文件，在1mhz下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試分析。

　　乙方認(rèn)為正常情況下，樣品的功能測(cè)試應(yīng)全部通過(guò)，參數(shù)測(cè)試結(jié)果應(yīng)在下表給定的范圍內(nèi)。

　　測(cè)試參數(shù)（常溫）測(cè)試條件最大值典型值最大值單位

　　靜態(tài)工作電流 vdd=5v ua

　　動(dòng)態(tài)工作電流 vdd=5v ua

　　輸入高電平電壓 vdd=5v v

　　輸入低電平電壓 vdd=5v v

　　輸入高電平電流 vdd=5v，vih=5v ua

　　輸入低電平電流 vdd=5v，vil=0v ua

　　輸出高電平電壓 vdd=5v v

　　輸出低電平電壓 vdd=5v v

　　輸出高電平電流 vdd=5v，voh=4.2v ma

　　輸出低電平電流 vdd=5v，vol=0.4v ma

　　如乙方提供的樣品中有____%滿足以上要求，甲方應(yīng)向乙方出具一份測(cè)試分析報(bào)告，并以附件形式（磁盤文件，t______t格式）提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。

　　乙方若對(duì)甲方出具的測(cè)試分析報(bào)告及測(cè)試數(shù)據(jù)有任何疑問(wèn)，必須在甲方測(cè)試分析工作完成之日起的兩個(gè)月內(nèi)向甲方提出。

　　乙方若須增加測(cè)試分析內(nèi)容，必須與甲方協(xié)商解決。

　　甲方：

　　乙方：

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